高通 HBC 完成实验室硬件验证，AI250 计划 2027 年上半年出样

高通完成 HBC 硬件验证，每瓦带宽超 HBM4 5 倍，AI250 2027 上半年出样。

高通宣布其第一代高带宽计算（HBC）技术已在美国圣迭戈实验室完成硬件验证，验证了完整读写能力和近存计算能力。该架构通过硅通孔（TSV）将多层 LPDDR 内存垂直堆叠在计算芯片上方，把数据传输距离从传统架构的数厘米缩短至数微米，目标是让 AI 推理内存不再依赖 HBM。验证所用的早期样品为两层 DRAM 堆叠，实测每瓦带宽超过 HBM4 的 5 倍，但尚未达到高通此前公布的 6 倍目标，正式产品预计采用四层堆叠。按高通口径，第一代 HBC 将为 AI250 加速卡提供 133 TB/s 有效内存带宽，是其采用 LPDDR5X 的 AI200 加速卡的 18 倍，AI250 计划 2027 年上半年出样。

rss · IT之家 · 11月2日 22:50

「为何现在值得关注」 这是高通 HBC 从方案发布推进到硬件验证节点的官方宣布，意味着「以 LPDDR 替代 HBM 做推理内存」这一路线首次有了实验室实测数据支撑。不过 133 TB/s、18 倍等数字均为公司口径，来自两层堆叠的早期实验室样品，实际能耗与成本影响要等 2027 年 AI250 出样、产品落地后才能确认。

「内容切入角度」 可做角度：拆解高通自己给出的一组对照数据——早期两层堆叠样品实测每瓦带宽超 HBM4 的 5 倍、但未达官方 6 倍目标，据此说明 LPDDR 替代 HBM 路线目前的真实进度与仍存差距，而非直接复述 133 TB/s、18 倍这类宣传口径。

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